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    科研成果

    一种调控冷阴极电子源侧向发射的结构及方法

    专利名称: 一种调控冷阴极电子源侧向发射的结构及方法
    英文名称:
    专利类别: 发明
    申请号: CN202011583639.9
    申请日期: 2020-12-28
    授权日期: 2024-08-02
    专利号: ZL202011583639.9
    第一发明人: 戴庆
    其它发明人: 李振军; 白冰; 李驰; 刘新川
    国外申请日期:
    国外申请方式:
    专利授权日期: 2024-08-02
    缴费情况:
    实施情况:
    专利证书号:
    专利摘要:
    其它备注:
       

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