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科研成果

神经电极组件及其制备方法、植入系统以及存储介质

专利名称:

神经电极组件及其制备方法、植入系统以及存储介质

英文名称:

专利类别:

发明

申请号:

CN202310538879.4

申请日期:

2023-05-15

授权日期:

2023-10-27

专利号:

ZL202310538879.4

第一发明人:

方英

其它发明人:

田慧慧; 方润九; 杜岩

国外申请日期:

国外申请方式:

专利授权日期:

2023-10-27

缴费情况:

实施情况:

专利证书号:

专利摘要:

其它备注: